달링턴
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작성일 20-12-09 02:20
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Download : 달링턴.ppt
목차
experiment(실험) 題目(제목), 동기 및 목적
달링턴쌍 理論(이론)
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
experiment(실험)결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 experiment(실험)
experiment(실험) 동기
experiment(실험) 목적
달링턴쌍이란
두 개의 트랜지스터를 접속하여 하나의 트랜지스터로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
experiment(실험)회로
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
회로 구성
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
트랜지스터
Q2N3904 (x2)
저항 100㏀, 56㏀, 47㏀, 10㏀(x2), 1㏀(x2), 220Ω
커패시터100㎌(x3), 47㎌
DC전원장치
함수발생기
오실로스코프
멀티테스터
experiment(실험)준비물
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
직류파라미터 값 측정(measurement)
두 회로의 VBE(Q1,Q2,전체), VB, VE, VC, IB, IC, IE 를 측정(measurement)한다.
입력출력파형 및 전압이득 측정(measurement)
주어진 기본회로
바이패스 커패시터를 제거한 회로
...
목차
experiment(실험) 題目(제목), 동기 및 목적
달링턴쌍 理論(이론)
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
experiment(실험)결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 experiment(실험)
experiment(실험) 동기
experiment(실험) 목적
달링턴쌍이란
두 개의 트랜지스터를 접속하여 하나의 트랜지스터로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
experiment(실험)회로
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
회로 구성
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
트랜지스터
Q2N3904 (x2)
저항 100㏀, 56㏀, 47㏀, 10㏀(x2), 1㏀(x2), 220Ω
커패시터100㎌(x3), 47㎌
DC전원장치
함수발생기
오실로스코프
멀티테스터
experiment(실험)준비물
experiment(실험)준비물 및 experiment(실험)절차
직류파라미터 값 측정(measurement)
두 회로의 VBE(Q1,Q2,전체), VB, VE, VC, IB, IC, IE 를 측정(measurement)한다.
입력출력파형 및 전압이득 측정(measurement)
주어진 기본회로
바이패스 커패시터를 제거한 회로
바이패스 커패시터를 100㎌로 대체한 회로
R6(출력단 저항)을 1㏀으로 대체한 회로
R6(출력단 저항)을 100㏀으로 대체한 회로
Iin, Iout Simulation
experiment(실험)결과 및 Simulation 결과
직류파라미터
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
측정(measurement)
Simulation
측정(measurement)
Simulation
VBE
Q1
0.56V
0.57V
0.70V
0.71V
Q2
0.69V
0.71V
전체
1.25V
1.28V
VB
2.57V
2.62V
2.30V
2.28V
VE
1.31V
1.33V
1.03V
1.57V
VC
9.06V
8.91V
7.71V
7.90V
IB
0.3㎂
0.4㎂
0.04㎃
0.04㎃
IE
5.88㎃
6.08㎃
7.36㎃
7.36㎃
IC
6.13㎃
6.08㎃
7.23㎃
7.23㎃
experiment(실험)결과 및 Simulation 결과
달링턴 증폭회로
공통 이미터
증폭회로
측…(省略)
실험결과/기타
달링턴 , 달링턴기타실험결과 , 달링턴
달링턴,기타,실험결과
달링턴
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다.
