MOCVD
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작성일 19-10-22 04:29
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목차
1. 실험목적
2. 관련理論(이론)
1) CVD(Chemical Vapor Deposition)
① APCVD
② CVD 의의
③ CVD 기술의 특징
④ MOCVD
2) 비저항(Resistivity)측정(measurement)
① 비저항(Resistivity)
② 4점 탐침기 (Four point probe)
3) 전기전도도
4) 두께 측정(measurement)
① F10-RT-UV
5) 시약준비
3. 실험시 사용한 재료
4. 실험방법
5. 측정(measurement)값과 계산값
1)면저항
2)두께
3)비저항
4)전기전도도
6. 結論
1. 실험목적
본 실험의 목적은 CVD(Chemical Vapor Deposition)의 방법 중 하나인 MOCVD를 이용하여 ZnO을 유리기판에 증착시킨 후 Four point probe를 이용하여 박막의 면저항을 측정(measurement)하고, F10-RT-UV를 이용하여 박막의 두께 및 반사율을 측정(measurement)한 후 전기적 특성(特性)...
목차
1. 실험목적
2. 관련理論(이론)
1) CVD(Chemical Vapor Deposition)
① APCVD
② CVD 의의
③ CVD 기술의 특징
④ MOCVD
2) 비저항(Resistivity)측정(measurement)
① 비저항(Resistivity)
② 4점 탐침기 (Four point probe)
3) 전기전도도
4) 두께 측정(measurement)
① F10-RT-UV
5) 시약준비
3. 실험시 사용한 재료
4. 실험방법
5. 측정(measurement)값과 계산값
1)면저항
2)두께
3)비저항
4)전기전도도
6. 結論
1. 실험목적
본 실험의 목적은 CVD(Chemical Vapor Deposition)의 방법 중 하나인 MOCVD를 이용하여 ZnO을 유리기판에 증착시킨 후 Four point probe를 이용하여 박막의 면저항을 측정(measurement)하고, F10-RT-UV를 이용하여 박막의 두께 및 반사율을 측정(measurement)한 후 전기적 특성(特性), 광학적 특성(特性)을 알아보기 위하여 이 실험을 하였습니다.
2. 관련理論(이론)
1) CVD(Chemical Vapor Deposition)
① APCVD( Atmospheric pressure Chemical Vapor Deposition)
APCVD는 상압(대기압 760 Torr)상태에서 reaction 용기내에 단순한 열에너지에 의한 화학 reaction 을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다. APCVD System 은 CVD 공定義(정의) 초기 형태이며 Silicon 산 화 막 증착에 사용되고있다 대부분의 APCVD 시스템에서는 Belt 구동 형태에 안착 된 Susceptor 위 에 Wafer가 수평으로 안착 되어 Wafer가 reaction 로 를 지나면서 박막이 형성되는 형 태이다. 주요 특 징으로는 기체를 여기시키는 에너지원으로 열을 이용하고 reaction 기체의 대부 분이 RF 가열을 이용한 Cold Wall Type 이 많다. PECVD보다 Co…(skip)
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다.
